您当前的位置:首页 > 供应列表 > 技术详情
半导体器件及制造方法
编号:S000018040 刷新日期: 有效日期至:2020-09-30 浏览:70 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括:形成在衬底上的第一半导体层,第一半导体层包含杂质元素;形成在第一半导体层上的第二半导体层;形成在第二半导体层上的第三半导体层;以及形成在第三半导体层上的栅电极、源电极和漏电极。在半导体器件中,第二半导体层包括杂质扩散区,包含在第一半导体层中的杂质元素扩散在杂质扩散区中,杂质扩散区位于栅电极正下方并且与第一半导体层接触,并且杂质元素使杂质扩散区成为p型杂质扩散区。
分享到:
联系方式
在线QQ: 点击这里
机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
相似供应