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半导体装置
编号:S000018041 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:68 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体装置。实现确保期望的击穿电压,且流过较大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由PN结二极管(35)与寄生PNP双极晶体管(38)构成ESD保护元件,所述PN结二极管由适当的杂质浓度的N+型嵌入层(2)与P+型嵌入层(3)形成,所述寄生PNP双极晶体管以连接到P+型扩散层(6)的P+型引出层(5a)作为发射极,以N-型外延层(4)作为基极,以P型半导体衬底(1)作为集电极。P+型嵌入层连接到阳极(10),P+型扩散层、以及与其连接并包围的N+型扩散层(7)连接到阴极(9)。若对阴极施加较大的正静电,则PN结二极管被击穿,通过此时的放电电流I1,N-型外延层的电位比P+型引出层低,寄生PNP双极晶体管(38)导通,流过较大的放电电流I2。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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