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一种半导体结构及其形成方法
编号:S000018232 刷新日期: 有效日期至:2020-11-24 浏览:1245 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提出一种半导体结构的形成方法以及半导体结构,该方法包括步骤:提供衬底;在衬底之上形成第一氮化物半导体层;刻蚀第一氮化物半导体层以形成多个开口;从开口对第一氮化物半导体层进行刻蚀以形成多个孔或槽,多个孔或槽延伸至衬底顶部表面或内部;通过对多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理,以形成多个支撑结构;以及淀积氮化物半导体材料,通过在多个孔或槽中第一氮化物半导体层的暴露部分进行横向生长,填充多个孔或槽,其后继续外延生长,在第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层。该方法能够降低半导体的位错密度,提高薄膜生长质量,有利于降低成本和后期衬底剥离。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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