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碳化硅半导体器件
编号:S000018450 刷新日期: 有效日期至:2020-11-22 浏览:1283 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种SiC半导体器件包括:SiC衬底(1,2),其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2),并且包括具有偏移方向的主表面;沟槽(6),其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向;以及栅极电极(9),其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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