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半导体量子阱中载流子浓度的测量方法
编号:S000019024 刷新日期: 有效日期至:2020-09-27 浏览:1307 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法,包括步骤:使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布;建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型;根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高,在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势;并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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