本发明涉及一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法，属于半导体表面抛光技术领域，特别涉及一种用于半导体硅片化学机械抛光(CMP)的抛光组合物领域。该组合物包括胶体二氧化硅磨粒、抛光加速剂、表面保护剂、分散剂、pH调节剂，所述的组合物的pH值为8.0～10.5。本发明通过表面活性剂作为表面保护剂与pH调节剂的共同使用下，使得他们更有利于吸附于半导体硅片表面，增强化学腐蚀和去除速率的统一性又可以控制化学腐蚀的速度。其可以有效的去除半导体硅片表面腐蚀和微观缺陷，并降低半导体硅片残余应力、损伤层和粗糙度。本发明抛光组合物价格便宜、成本低，在用于抛光中具有工艺简单可控等优点。