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具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管
编号:S000020128 刷新日期: 有效日期至:2020-10-31 浏览:1233 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV?LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底;在衬底上方生长的第一掺杂阱;在第一阱上形成的栅极结构;在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极;以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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