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一种发光二极管芯片及其制造方法
编号:S000021791 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:1320 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。该芯片包括:衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层,不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞,每个孔洞中沉积有荧光粉,且每个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本发明通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞,n型层位于不掺杂的GaN层上,减小了GaN层与n型层的晶格不匹配的差异,降低了n型层中的缺陷密度,有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响,提高了发光二极管的内量子效率和亮度;且孔洞中设有荧光粉,增加了发光二极管的外量子效率,提高了发光二极管亮度。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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