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一种发光二极管的外延片及其制造方法
编号:S000021792 刷新日期: 有效日期至:2020-11-09 浏览:1323 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖北 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。外延片包括:衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层,p型层直接设于多量子阱层上,多量子阱层包括第一多量子阱层和第二多量子阱层,第一多量子阱层由若干个InaGa1-aN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成,第一多量子阱层中的若干个量子垒层中至少一个为AlxInyGa1-x-yN层,其中,0<x<1,0≤y<0.5;第二多量子阱层由若干个InbGa1-bN量子阱层和若干个量子垒层交替层叠而成,且a≤b。本发明通过上述方案,减小了第二多量子阱层的缺陷密度,提高了势垒高度,提高电子的缓冲和拦截能力,提高了器件的发光效率,且消除了由于电子阻挡层造成的晶格失配、能带弯曲的问题。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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