本发明涉及金属互补氧化物半导体固态图像传感器。为提供一种小尺寸的CMOS图像传感器像素的光电二极管结构，使得优化后的小像素单元可以在不增大暗电流的情况下增加满阱容量，从而间接增大动态范围、信噪比等，完成小像素下像素单元的优化设计，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，小尺寸CMOS图像传感器像素结构，像素光电二极管是由在P型外延层上注入一个较浅的N型区域埋层构成，N型区域是一个开口向左、由同型扩散系数较大的杂质构成的U型埋层结构，U型埋层结构中间位置是扩散系数较小的同型杂质；扩散系数较大的杂质注入层将扩散系数较小的杂质注入层全部包埋。本发明主要应用于CMOS固态图像传感器的设计制造。