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> 技术详情
能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜
编号:S000030426
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-13
浏览:
1231
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,有两种结构,第一种:该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx,折射率为2.0-2.1,厚度为70-80nm;该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm。第二种:该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx,折射率为2.2-2.3,厚度为9-11nm;b、该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm;该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层,折射率为2.0-2.1,厚度为60-70nm。应用本发明所述钝化减反膜的太阳电池,可从电池端有效地预防PID效应,且本发明基于目前的传统电池工艺,只改变减反膜的成分和厚度组合,能与目前的电池工艺兼容,易于实现。本发明所述能抗PID效应的钝化减反膜,适用于传统P型电池,也适用于高效背钝化电池,EWT、MWT电池,N型IBC电池等。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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