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一种突变结晶硅太阳电池的制备方法
编号:S000032171 刷新日期: 有效日期至:2020-10-15 浏览:1210 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江西 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种突变结晶硅太阳电池的制备方法,采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜,并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素;采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜,保证体硅太阳电池的均匀性;采用快速热退火处理,可在保证突变结结构不发生明显扩散的前提下,消除低温外延过程中薄膜中的缺陷,激活掺杂元素,得到性能优良突变结结构的晶硅太阳电池。本发明具有优化了制备器件的性能,提高了太阳电池的转换效率,工艺简单,有利于实现大规模生产。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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