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SiC半导体功率器件

编号：S000018048 刷新日期：有效日期至：2020-12-24 浏览：3565 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：技术转让

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明涉及SiC半导体功率器件。一种半导体功率器件包括SiC半导体主体。所述SiC半导体主体的至少一部分构成一个漂移区。第一接触件处于SiC半导体主体的第一侧。第二接触件处于SiC半导体主体的第二侧。第一侧与第二侧相对。第一接触件与第二接触件之间的电流路径包括至少一个石墨烯层。

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