本发明提供一种半导体装置。实现能够确保期望的击穿电压且能够流过大的放电电流的ESD保护特性优越的ESD保护元件。由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成PN结二极管。P+型嵌入层与P+型引出层（5）成为一体且将N-型外延层（4）贯通而与阳极电极（10）连接。由P+型嵌入层等包围的N-型外延层上形成N+型扩散层（7）和与该N+型扩散层连接且围绕它的P+型扩散层（6）。N+型扩散层、P+型扩散层与阴极电极（9）连接。由将P+型扩散层作为发射极、将N-型外延层作为基极、将P+型引出层等作为集电极的寄生PNP双极型晶体管（38）和PN结二极管（35）构成ESD保护元件。