本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区，半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触，两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是，降低比导通电阻，提高耐压，适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。