一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一硬掩膜结构，所述第一硬掩膜结构具有与所述半导体衬底接触的底面，其中，所述底面位于所述第一硬掩膜结构在半导体衬底表面上的投影内；以所述第一硬掩膜结构作为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成侧壁倾斜的鳍部。所述半导体结构的形成方法，还包括：鳍部表面形成栅极结构，所述栅极结构横跨鳍部顶面和侧壁；在鳍部两端形成源极和漏极，所述源极和漏极位于栅极结构的两侧。所述半导体结构的形成方法，可以形成鳍部侧壁倾斜的鳍式场效应晶体管，并且所述鳍部的倾斜侧壁表面平整，提高鳍式晶体管的性能。