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具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法
编号:S000018117 刷新日期: 有效日期至:2020-09-26 浏览:3670 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法。在本文中描述的实施例涉及具有沟槽触点的半导体晶体管,特别地涉及一种具有在栅电极下面的场电极的半导体晶体管,并且涉及用于制作具有沟槽触点的半导体晶体管的相关方法。
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