本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一有源元件、一第一半导体元件、一第二半导体元件及一被动元件。衬底具有一第一区及与第一区相连的一第二区。有源元件具有一掺杂区，掺杂区位于第一区。第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件被设于第二区上。第一半导体元件、第二半导体元件及被动元件均被电性连接于有源元件。