本发明涉及用于产生半导体组件的方法。公开了一种用于产生具有多晶半导体主体区段的半导体组件的方法的示例性实施例，其中在半导体主体的第一和第二表面之间在半导体组件部分中产生所述多晶半导体主体区段，其中按照聚焦到半导体主体的半导体组件部分中的位置上的方式将波长为至少1064nm的电磁辐射引入到半导体主体中，并且其中所述位置处的辐射的功率密度小于1×10⁸W/cm²。