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> 技术详情
具有本征半导体层的晶片
编号：S000018190
刷新日期：
有效日期至：
2020-10-03
浏览：
3733
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明涉及一种具有本征半导体层的晶片，本发明还涉及一种用于制造晶片的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上提供掺杂层；在所述掺杂层上提供第一半导体层；在所述第一半导体层上提供掩埋氧化物层；以及在所述掩埋氧化物层上提供第二半导体层。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式：
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