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> 技术详情
金属氧化物半导体晶体管的制作方法
编号：S000018222
刷新日期：
有效日期至：
2020-10-23
浏览：
3483
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明提供了一种金属氧化物半导体晶体管的制作方法，在源/漏层与沟道之间形成第二侧壁层，且在半导体衬底表面和源漏层之间形成空气埋层。在确保减小漏耗尽层扩展导致的漏电流的基础上，减小源漏寄生电容，并且减小了热预算。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式：
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