公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。