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化合物半导体器件及其制造方法

编号：S000018317 刷新日期：有效日期至：2020-11-05 浏览：3648 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：科技服务

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。

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