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化合物半导体器件及其制造方法

编号：S000018555 刷新日期：有效日期至：2021-01-05 浏览：3587 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：技术转让

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本公开提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。

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