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> 技术详情
半导体器件及其制造方法
编号：S000018587
刷新日期：
有效日期至：
2020-12-15
浏览：
3583
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件中形成沟道区，以及接近沟道区形成源极或者漏极区。源极或者漏极区包括接触电阻降低材料层，其包含SiP、SiAs或者硅化物。源极或者漏极区还包括沟道应力材料层，其包含SiCP或者SiCAs。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式：
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