公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件中形成沟道区，以及接近沟道区形成源极或者漏极区。源极或者漏极区包括接触电阻降低材料层，其包含SiP、SiAs或者硅化物。源极或者漏极区还包括沟道应力材料层，其包含SiCP或者SiCAs。