本发明涉及半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元。一种半导体器件，包括化合物半导体多层结构、覆盖化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及布置在化合物半导体多层结构上方的栅电极，其中含氟阻挡膜布置在栅电极与化合物半导体多层结构之间。