一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，所述的半导体衬底含有一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层，并且具有一个有源器件元区和一个边缘端接区。边缘端接区含有多个P-通道MOSFET。当外加电压等于或大于P-通道MOSFET晶体管的阈值电压V_t时，通过将栅极连接到漏极上，形成在边缘端接上的P-通道MOSFET晶体管可以顺序开启，从而优化了每个区域闭锁的电压。