本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成第一、第二、第三和第四牺牲层；在第一、第二、第三和第四牺牲层中形成暴露半导体衬底的开口；在第四牺牲层上和开口内依次形成第五和第六牺牲层，其中第一、第三和第五牺牲层为氧化物层和氮化物层中的一种，第二、第四和第六牺牲层为氧化物层和氮化物层中的另一种；对第六和第五牺牲层进行刻蚀，以在开口的侧壁上形成间隙壁；执行第一掺杂工艺；去除间隙壁；执行第二掺杂工艺，以在半导体衬底中形成浓度较高的沟道和位于沟道两侧的低浓度掺杂区，第一和第二掺杂工艺掺杂相同导电类型的掺杂剂。该方法不但工艺简单，易于实现，而且能够与CMOS工艺技术很好地兼容。