公开了用于制造半导体器件的方法。应变材料形成在衬底的腔中并且与衬底中的隔离结构相邻。应变材料具有位于衬底表面上方的角部。所公开的方法提供了用于利用衬底腔中的增加部分形成与隔离结构相邻的应变材料的改进方法，以增强载流子迁移率并提升器件性能。通过提供处理以重新分布腔中角部的至少一部分来实现改进的形成方法。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。