本发明涉及一种钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型漂移区正面设栅氧化层，栅氧化层上设多晶栅，在第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区；特征是：所述第一集电金属区是由Se淀积形成的金属薄膜。本发明实现半导体表面钝化的同时，避免了自身电阻过大导致的电流限制作用。