本申请涉及表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法。提供了一种表面发射半导体激光器装置，其包括与各种反射器和衍射透镜集成在半导体材料中的边缘发射激光器。边缘发射激光器具有包括有源MQW区域的第一区段、包括无源区域的第二区段和包括半绝缘或未掺杂的半导体体层的第三区段。该配置确保注入电流将会流经有源区域的所有层，从而防止由于MQW有源区域的未注入区域而发生光学损失。另外，包括无源区域确保了没有电流流经有源MQW区域与再生长的半导体体层之间的界面。后一特征提高了性能和装置可靠性。