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填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法

编号：S000019292 刷新日期：有效日期至：2020-11-04 浏览：3564 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：技术转让

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]Si_aN_bO_cH_d在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

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