本发明提供了一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法。利用MOCVD设备，将激光器放入反应室中，反应室升温至200℃～350℃时通AsH₃，当温度达到400℃时再通入二甲基锌进行腔面扩散，当温度升至450℃～650℃保持20min～70min，在15min～30min内降温至150℃～300℃进行退火；当反应室温度下降至100℃以下时，Zn扩散完毕。本发明的方法Zn扩散均匀、易于控制并且产能较大，一次可以完成数十片激光器Zn扩散，并且进行Zn扩散制作非吸收窗口的激光器输出功率比闭管扩Zn的激光器功率提高10％。