本申请案涉及具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。一种实例性互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器包含外延层、像素阵列及沟槽电容器。所述像素阵列形成于所述外延层的前侧上所述图像传感器的像素阵列区域中。所述像素阵列包含安置于邻近像素之间以用于隔离所述像素阵列区域中的所述像素的一个或一个以上浅沟槽隔离结构。所述沟槽电容器形成于所述外延层的所述前侧上所述图像传感器的外围电路区域中。