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> 技术详情
蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置
编号：S000019506
刷新日期：
有效日期至：
2021-01-01
浏览：
3543
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
科技服务
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
蚀刻方法，其包括：对蚀刻水溶液施加放射线；和通过使用被放射线照射的蚀刻水溶液对待蚀刻的材料进行蚀刻。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式：
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