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> 技术详情
边缘端接中产生鞍型结电场的改良型结构及方法
编号：S000019552
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-08
浏览：
3595
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
合作研发
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，并且具有一个有源晶胞区和一个边缘端接区，其中边缘端接区包括一个具有交替导电类型的掺杂半导体立柱的超级结结构，带有掺杂半导体立柱之间的电荷不平衡，以便在边缘端接中形成一个鞍型结电场。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式：
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