一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成高K介质层；在所述高K介质层表面形成无定形碳层；在所述无定形碳层表面形成伪栅极层；在伪栅极层两侧的半导体衬底表面形成侧墙；在所述伪栅极层和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区；在半导体衬底上形成掩膜层，所述掩膜层上表面与伪栅极层顶部齐平；以掩膜层为掩膜，去除所述伪栅极层，形成开口；在所述开口内填充满金属，形成栅电极层，所述栅电极层上表面与所述掩膜层的顶部齐平。所形成的晶体管性能良好。