本发明公开了一种集成LED芯片及其制作方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长外延层，形成晶片基体；S2、采用激光切割的方式在晶片基体上形成用于隔离相邻单胞的隔离槽，隔离槽的底部延伸至晶片基体的衬底处；S3、去除部分第二半导体层和发光层，露出位于其下的第一半导体层；S4、在第二半导体层的表面上形成透明导电膜；S5、在由第一半导体层、第二半导体层和发光层叠加形成的侧壁上、以及隔离槽中形成钝化层；S6、在由隔离槽隔离的各单胞之间形成金属连接线，形成集成LED芯片。本发明集成LED芯片及其制作方法，通过采用激光切割工艺形成隔离槽简化了制作工艺、提高了生产效率和增加了芯片的有效发光面积。