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一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
编号:S000019886 刷新日期: 有效日期至:2020-10-07 浏览:1736 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,在基板上依次沉积透明导电层和第一金属层,利用第一多段式调整光罩对透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极、共通电极以及反射层,栅极包括透明导电层和第一金属层,共通电极包括透明导电层,反射层包括第一金属层;在基板上继续沉积栅绝缘层、半导体层,利用第二多段式调整光罩对栅绝缘层和半导体层进行图案化,保留位于栅极上方的半导体层,在基板上继续沉积第二金属层,利用第三多段式调整光罩对第二金属层图案化,在保留的半导体层上由第二金属层形成源极和漏极。本发明简化了工艺制程,降低了制作成本。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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