本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。