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> 技术详情
一种无结型纵向隧穿场效应晶体管
编号:S000020109
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-10
浏览:
3041
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提出一种无结型纵向隧穿场效应晶体管,包括:源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅,其中,源区、漏区和沟道区构成一个整体,采用同一种掺杂类型半导体材料,从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同,控制栅和辅助栅分别位于沟道两侧并且二者至少有一部分相对,其中控制栅用于控制器件的导通与关闭,辅助栅用于使辅助栅的下方的半导体区域发生反型。本发明的无结型纵向隧穿场效应晶体管仅一种掺杂类型,不需要制作PN结,降低了工艺难度;更有利于器件尺寸的缩小,抑制短沟道效应,增大开关电流比;可以通过控制栅与辅助栅之间的距离区域进一步减小关态漏电,改善亚阈值斜率等特性;通过控制半导体薄膜的厚度可以有效降低隧穿长度,增大隧穿电流。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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