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一种无结型纵向隧穿场效应晶体管
编号:S000020109 刷新日期: 有效日期至:2020-12-10 浏览:3041 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提出一种无结型纵向隧穿场效应晶体管,包括:源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅,其中,源区、漏区和沟道区构成一个整体,采用同一种掺杂类型半导体材料,从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同,控制栅和辅助栅分别位于沟道两侧并且二者至少有一部分相对,其中控制栅用于控制器件的导通与关闭,辅助栅用于使辅助栅的下方的半导体区域发生反型。本发明的无结型纵向隧穿场效应晶体管仅一种掺杂类型,不需要制作PN结,降低了工艺难度;更有利于器件尺寸的缩小,抑制短沟道效应,增大开关电流比;可以通过控制栅与辅助栅之间的距离区域进一步减小关态漏电,改善亚阈值斜率等特性;通过控制半导体薄膜的厚度可以有效降低隧穿长度,增大隧穿电流。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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