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一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
编号:S000020114 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2193 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法,涉及液晶面板制造领域,能够使源/漏极和栅极之间对位精确。所述薄膜晶体管的制造方法包括:在透明基板上形成栅极;在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜,并通过构图工艺形成半导体层,且保留位于所述半导体层上方的光刻胶;从所述透明基板一侧,以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理,在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶;在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜,并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜,再通过构图工艺形成源极、漏极。本发明实施例用于制造包含有薄膜晶体管的产品或器件。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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