本发明公开一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其中，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层中形成通孔之后，利用包含氮气、氧气、臭氧等离子体同时对所述HARP膜从PETEOS氧化硅层中外露的部分以及在通孔中外露的部分进行处理；S8：通过通孔对所述氮化硅层进行刻蚀，以刻蚀掉所述氮化硅层位于通孔底部的区域。