本发明是一种基座，其在进行外延层的气相生长时支撑半导体基板，其特征在于，在基座的上表面上，形成有内部配置半导体基板的凹坑，该凹坑呈双层结构，具有支撑半导体基板的外周缘部的上层凹坑部、与在该上层凹坑部的下层且形成于中心侧的下层凹坑部，在下层凹坑部中，形成有贯穿至前述基座的背面且在进行气相生长时为敞开状态的贯穿孔，在基座的背面侧，与上层凹坑部相对应的位置处设置有沟槽。由此，提供一种基座及使用此基座的外延晶片的制造方法，所述基座可以降低半导体基板外周部上且基座的背面侧的与上层凹坑部相对应的位置处的温度，使基板背面的外周部与内周部的热条件固定，而抑制基板背面的背面沉积的产生。