您当前的位置:首页 > 供应列表 > 技术详情
互连结构的形成方法
编号:S000020257 刷新日期: 有效日期至:2020-10-29 浏览:2129 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种互连结构的形成方法,包括:对所述半导体基底执行第一平坦化工艺,所述第一平坦化工艺以衬里层为停止层,去除停止层上的部分导电层,直至剩余的导电层与所述衬里层齐平;对执行第一平坦化工艺后的半导体基底执行第二平坦化工艺,所述第二平坦化工艺以氧化物硬掩模为停止层,去除氧化物硬掩模上的衬里层、金属硬掩模及部分导电层;对执行第二平坦化工艺后的半导体基底执行第三平坦化工艺,所述第三平坦化工艺以层间介质层为停止层,去除层间介质层上的氧化物硬掩模和部分导电层,直至剩余的导电层与所述层间介质层齐平。本发明互连结构的形成方法具有较强的工艺可控性。
分享到:
联系方式
在线QQ: 点击这里
机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
相似供应