用于制造半导体器件的方法包括在半导体基板上形成多个栅极结构。将多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在线路之间的端间间隙小于在线路之间的线间间隔。该方法进一步包括：在栅极结构的上方形成蚀刻停止层，在栅极结构的上方形成层间电介质，以及在形成层间电介质以前在栅极结构的上方形成电介质膜。电介质膜结合在栅极结构之间的端间间隔中形成的端间间隙中。本发明还提供了一种使用电介质膜填充端间的间隙的方法。