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具有突出源极和漏极区的集成电路及形成集成电路的方法

编号：S000020947 刷新日期：有效日期至：2021-01-02 浏览：4455 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：科技服务

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明涉及具有突出源极和漏极区的集成电路及形成集成电路的方法。该等集成电路包含覆于上及横过以形成于半导体基板的沟渠为界的一个或多个鳍片的栅极结构。在栅极电极结构之间的沟渠中形成突出部于该一个或多个鳍片的暴露侧壁表面上。用绝缘材料填充在突出部、栅极结构之间的沟渠。

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