本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高Cu CMP效率的方法。本发明提出一种提高Cu CMP效率的方法，通过电镀金属铜后对形成的铜膜进行电解处理，能可控的去除部分铜膜，以满足Cu CMP工艺需求，从而简化了Cu CMP研磨工艺步骤，减少Cu CMP工艺时间，节省了研磨成本，提高产出率，不仅能保证Cu CMP的工艺效果，还与传统Cu CMP工艺兼容。