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大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法

编号：S000020997 刷新日期：有效日期至：2020-10-16 浏览：3618 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：合作研发

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

公开了一种集成电路器件及其制造方法。在一个实例中，集成电路器件包括电容器，该电容器具有设置在半导体衬底中的掺杂区域、设置在掺杂区域上方的介电层、以及设置在介电层上方的电极。至少一个柱状部件嵌入在该电极中。本发明还提供了一种大尺寸器件及其在后栅极工艺中的制造方法。

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