中阿技术转移中心

应力记忆技术中形成应力层的方法

编号：S000020998 刷新日期：有效日期至：2020-09-27 浏览：3609 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 技术领域：智能制造 - 装备制造业

转让类型：合作研发

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明提供了一种应力记忆技术中形成应力层的方法，通过将栅极侧壁制作成垂直于半导体基底的方向上成水平宽度由小到大的锥形侧壁，在不影响后续离子注入工艺的同时，避免了相邻两PMOS和NMOS栅极结构间由于栅极结构顶端间距过小导致两栅极结构间的应力层出现空洞，进而影响器件性能的问题。

分享到：

收藏此供应推荐给好友

穿越到手机

联系方式

机构地址：Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China 查看地图

相似供应